LED的历史进程和未来发展 即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体，发射光子的能量近似为半导体的禁带宽度，硅(Si)、砷化镓(GaAs)和氮化镓(GaN)的禁带宽度在室温下分别为1.2... 科技 网编 195 2023-06-19
